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当电磁波进入Ni@MF层或CNT层，人使其屏蔽效能分别为38.3dB和29.5 dB。例如，坏导一维单壁碳纳米管（CNT）由六方键合的sp2碳原子组成的一维螺旋管状分子结构，可看作由二维石墨烯片沿着一定方向卷曲而成。

巴克（d）N1s,（e）C1s,（f）Ni2p©2022TheAuthors图三 式样的结构表征（a）Ni@MF-5层和（b）CNT层的电磁波吸收示意图。理论上，外彻凡是电压或电流突变的场合，就会有电磁干扰问题存在。底怒 图文解读图一 Ni@MF/CNT/PBAT阶梯不对成网络结构的设计（a）Ni@MF/CNT/PBAT阶梯不对成网络结构的制备过程示意图。

中国致星涨结果表明：Ni@MF/CNT/PBAT网络结构的不对称性以及电导性促使其具有极好的电磁波吸收性能。因此，人使开发具有良好机械性能的新型轻质柔性电磁屏蔽材料是一个关键挑战。

坏导其成果以DirectionalElectromagneticInterferenceShieldingBasedonStepWiseAsymmetricConductiveNetworks为题,发表在Nano-Microletter (IF=16.9)上。

巴克（g）Ni（h）CNT-75/PBAT和（i）Ni@MF-5/PBAT层的SEM图像。光学图像分析显示，外彻多硫化物在放电开始时从正极迁移到电解液中，并在放电后期返回正极沉积为Li2S。

通过比较硫开始转化获得的理论比容量与实验测量的比容量，底怒发现多硫化物的相互转化几乎立即开始，底怒一旦有Li2S8可用，它就会进一步转化形成更短链的物质。作者基于Fick定律模拟多硫化物在电解质中的扩散，中国致星涨实验观察并显示在放电速率为C/10的第一次放电平台期间，中国致星涨多硫化物质量传递是扩散的，并且主要受多硫化物物质的浓度梯度控制。

结果如图4所示，人使实时操作实验的结果与非原位分析的观察结果一致。在放电深度达到740mAhg-1时观察到灰度强度明显增加，坏导这表明Li2S在这个放电区间大量沉积。